有关注三星Galaxy S8/S8+的读友，应该都知道，虽然国行版用的是骁龙835处理器，但是在韩、台、欧等地区却是用自家的Exynos 8895，配件与国行版对比基本一致，但是这个猎户座芯片的性能却明显比骁龙矮一节。“一机双配”，两台手机的总体性能相当。

这种事其实三星没少干，在S8上还没有太大的争议，但是在去年的Galaxy S7上，不知道你们还会记得不：骁龙820版本为了与Exynos 8890保持同等的充电功率，居然弃用高通QC3.0快充协议，仅支持QC2.0。-_-|||||知道你家的芯片能耗控制更好、有更好的续航能力，但是猎户座的FAST CHARGE充电功率确实不比QC3.0啊……

今年三星2018版Galaxy A8/A8+也即将在国内发布，先前在海外发布的版本所使用的CPU是Exynos 7885。而国内版的Galaxy A8，很有可能会改用骁龙芯。不信？下面小兽再举个例子：

2017年三星发布的新版Galaxy A7，可视为A8的“前一代”。为什么说是“新版”呢？原来A7这款手机，居然有三个年代的不同版本！其中16年韩版的A7与15年国行的A7依然是保持大体不变的前提下，使用两种CPU——Exynos 7870 & 骁龙615。这两个芯片依然是在性能上可谓“对标”，细节之处互有高低。

对于国行版，这回Galaxy A8 2018的骁龙版会比猎户座版晚出，小兽猜测，可能是因为将会用在国行版的这颗骁龙芯——还未正式亮相？

让我们再进一步对比一下A7（2016版）、S7、S8的三套“双配置”。

Galaxy A7 2016：

欧韩版A7，猎户座Exynos7580，20nm HKMG制造工艺，八核A53，频率为1.5GHz，内存为双通道LPDDR3-933，网络基带LTE Cat.4。

国行版A7，高通骁龙615，28nm LP制造工艺，四核A53+四核A53，频率为1.7GHz/1.2GHz，内存为单通道LPDDR3-800，网络基带LTE Cat.4。

Galaxy S7：

欧韩版S7，猎户座Exynos8890，14nm LPP制造工艺，四核M1+四核A53，频率为2.6GHz/1.5GHz，内存为双通道LPDDR4-1800，网络基带LTE Cat.12（下载）/Cat.13（上传）。

国行版S7，高通骁龙820，14nm FinFET制造工艺，双核Kryo+双核Kryo，频率为2.15GHz/1.59GHz，内存为双通道LPDDR4-1866，网络基带LTE Cat.12（下载）/Cat.13（上传）。

Galaxy S8：

欧韩版S8，猎户座Exynos8895，10nm FinFET制造工艺，四核M2+四核A53，频率为2.5GHz/1.7GHz，内存为双通道LPDDR4X，网络基带LTE Cat.16（下载）/Cat.13（上传）。

国行版S8，高通骁龙835，10nm FinFET制造工艺，四核Kryo 280+四核Kryo 280，频率为2.45GHz/1.9GHz，内存为双通道LPDDR4X-1866，网络基带LTE Cat.16（下载）/Cat.13（上传）。

不难看出，国内外的两个版本，虽有不同处理器，但是处理器性能基本持平。

而对于韩版Galaxy A8 所使用的Exynos7885：14nm 制造工艺，双核A73+六核A53，频率为2.1GHz。会比骁龙625的八核A53（14nm/2.0GHz）强一点，却又比骁龙660的四核Kryo 260+四核Kryo 260（14nm/2.2GHz）低一点。所以小兽认为，骁龙暂时没有适合的、对标Exynos7885的处理器。

可能将来三星会考虑下骁龙2018年的S640吧？双核Kryo 360 Gold+六核Kryo 360 Sliver，小兽看着蛮般配的~就是不知道性能怎么样。

【一机双配】，小兽用这个词来形容三星，不知道你们会同意吗？不妨让国行版Galaxy A8来验证一下？

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